MOSFET - Wikipedia
网页In electronics, the metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, MOS FET, or MOS transistor) is a type of field-effect transistor (FET), most commonly fabricated by the controlled oxidation of silicon. It has an insulated gate, the voltage of which determines the conductivity of the device.
MOSFET是什么：工作及其应用 - 知乎 - 知乎专栏
网页MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种半导体器件，广泛用于开关目的和电子设备中电子信号的放大。 由于MOSFET的尺寸非常小，因此MOSFET既可以是核心也…
一文搞懂MOSFET结构、符号、工作原理（一） - CSDN博客
网页2024年1月13日 · 本文将从定义与分类、结构与符号、工作原理、特性曲线几个部分介绍MOSFET。 1 定义与分类 金属氧化物半导体场效应管（Metal Oxide semiconductor Field Effect transistor，MOSFET），也称为绝缘栅型场效应晶体管（IGFET）。
金属氧化物半导体场效应管 - 维基百科，自由的百科全书
网页2023年4月25日 · 金属氧化物半导体场效晶体管（简称：金氧半场效应管；英语： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，缩写： MOSFET ），是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效应管。
金屬氧化物半導體場效電晶體 - 维基百科，自由的百科全书
网页金屬氧化物半導體場效電晶體（簡稱：金氧半場效電晶體；英語： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ，縮寫： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。
MOSFET详解 - 知乎 - 知乎专栏
网页一、什么是MOSFET？ MOS的英文全称就是MOSFET,其中后缀FET是场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写，FET是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。 FET是具有源极（S），栅极（G），漏极（D）和主体（B）端子的四端子设备。
MOSFET结构及其工作原理详解 - 知乎 - 知乎专栏
网页MOSFET基本概述. MOSFET由 MOS (Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+ FET (Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。. 即通过给 金属层 (M-金属铝)的 栅极 和隔着 氧化层 (O-绝缘层SiO2)的 源极 施加电压， 产生电场的效应 来控制 半导体 (S) 导电沟道 开关 的场 ...
The MOSFET and Metal Oxide Semiconductor Tutorial
网页The IGFET or MOSFET is a voltage controlled field effect transistor that differs from a JFET in that it has a “Metal Oxide” Gate electrode which is electrically insulated from the main semiconductor n-channel or p-channel by a very thin layer of insulating material usually silicon dioxide, commonly known as glass.
金属氧化物半导体场效应管 - 百度百科
网页金属氧化物半导体场效应管（英语：Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。.
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
网页A MOSFET is a voltage-driven transistor that controls drain current with gate-source voltage. The following table compares the characteristics of MOSFETs and bipolar transistors.
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