在商用生产中，蓝宝石通常被用作氮化镓（GaN）外延生长的衬底。然而，由于GaN与蓝宝石之间存在显著的晶格失配（GaN和蓝宝石的晶格常数差异约为16%）和热失配，导致外延层中产生大量位错缺陷和其他结构缺陷。这些缺陷会严重影响GaN基器件的性能和可靠性。