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硒化铟的一项突破性发现能以最小的能量实现晶体到玻璃的转变，从而彻底改变内存存储技术。研究人员发现，这种转变可以通过持续电流引起的机械冲击来实现，从而绕过了高能耗的熔化和淬火过程。 这种新方法可将能耗降低十亿倍，有望实现更高效的数据存储设备。层状半导体铁电材料 In2Se3 的电驱动非晶化效果图。 中间层在载流子力的作用下滑动，图中的闪电则表示压电引起的机械冲击产生的电尖峰，从而使材料发生非晶化。