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eeworld.com.cn
26 天
stm32之TFT触摸屏(ILI9320)(2):由触摸屏写入EEPROM
这个EEPROM就可以存储这个基准值。 ADS7846的操作是通过SPI进行的,之前讲SPI移植的时候实际讲的比较透彻了,操作也比较简单,看下程序就能懂了。AT24CXX则是通过IIC进行的,所以讲下。 SPI和IIC有什么不同呢,我的感觉主要是三点:1.二者的协议方式不同 ...
EDN电子技术设计
26 天
意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器,提升智能边缘设备的性能和能效
2024 年 10 月 15 日,中国—— 意法半导体的 Page EEPROM兼备EEPROM存储技术的能效和耐用性与闪存的存储容量和读写速度,为面临极端尺寸和功率限制的应用场景提供了一个混合存储器。Kc6ednc 意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和 ...
腾讯网
7 天
RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求
在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下,市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测,2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%,达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场 ...
21ic
27 天
意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器 提升智能边缘设备的性能和能效
[导读]新存储器兼备串行闪存的读取速度与EEPROM的字节级写操作灵活性,实现真正的两全其美 2024 年 10 月 15 日,中国—— 意法半导体的 Page EEPROM兼备EEPROM存储技术的能效和耐用性与闪存的存储容量和读写速度,为面临极端尺寸和功率限制的应用场景提供了一个 ...
7 天
从富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据 ...
FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NOR flash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次 ...
Analog
7 天
查看数据手册 (Rev.2)
非易失存储器存储滑动端位置,上电时重新装入 16引脚,5mm x 5mm x 0.8mm TQFN封装 35ppm/°C端到端电阻温度系数 5ppm/°C比例温度系数 10kΩ和50kΩ端到端电阻 3线SPI兼容串行接口 高可靠性(T A = +85°C) 50,000次滑动端位置存储 MAX5494–MAX5499为10位(1024抽头)、双路、非易失 ...
EDN电子技术设计
10 天
硬核科技,赋能未来:解码芯片产业创新趋势
在近日举办的E维智库第12届中国硬科技产业链创新趋势峰会暨百家媒体论坛上,邀请了来自艾迈斯欧司朗、Qorvo、RAMXEED(原富士通半导体)、飞凌微、安谋科技、清纯半导体等企业的多位行业专家,共同探讨芯片技术在各个领域的应用和发展方向。论坛内容涵盖了 LED 技术、射频技术、FeRAM 技术、端侧 AI 技术、NPU 技术、SiC 技术等多个领域,为推动中国硬科技产业发展提供了宝贵的经验和启示。
27 天
大湾区再迎“芯”风潮,奏响产业发展强音!
2024年10月14-16日,慕尼黑华南电子展(electronica South China)在深圳国际会展中心(宝安新馆)举办。
8 天
Intel顶配游戏显卡拆解,里面长什么样?
撼与科技英特尔锐炫A770泰坦超频(OC)版显卡(16GB)不仅配备了16GB的板载显存,还进行了出厂GPU及显存的预超频处理,搭配高效的冷却系统以提供更大的超频潜力。鉴于英特尔突然宣布停产限量版的Arc A770 ...
新浪网
7 天
RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求
其次,对于SRAM+EEPROM(或NVSRAM ... 同时,还将推进Quad(四线)SPI产品的研发,以满足如游戏机和高端工厂自动化等对数据传输速率有着更高要求 ...
腾讯网
7 天
自带主动散热风扇,优创亿9合1掌机扩展坞拆解
前言充电头网拿到了优创亿推出的一款9合1掌机扩展坞,这款扩展坞可以开启掌机的底座模式,并具备PD快充、HDMI视频输出、TF/SD读卡器、USB3.0接口扩展,USB2.0接口扩展和千兆有线网络接口。扩展坞机身还设有卡扣固定的风扇模块,通过触点连接, ...
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