FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级，这远超过NOR flash、EEPROM；读写次数达到1014、1013之多，在某种意义上相当于无限次 ...

这个EEPROM就可以存储这个基准值。 ADS7846的操作是通过SPI进行的，之前讲SPI移植的时候实际讲的比较透彻了，操作也比较简单，看下程序就能懂了。AT24CXX则是通过IIC进行的，所以讲下。 SPI和IIC有什么不同呢，我的感觉主要是三点：1.二者的协议方式不同 ...

2024 年 10 月 15 日,中国—— 意法半导体的 Page EEPROM兼备EEPROM存储技术的能效和耐用性与闪存的存储容量和读写速度，为面临极端尺寸和功率限制的应用场景提供了一个混合存储器。Kc6ednc 意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和 ...

[导读]新存储器兼备串行闪存的读取速度与EEPROM的字节级写操作灵活性，实现真正的两全其美 2024 年 10 月 15 日,中国—— 意法半导体的 Page EEPROM兼备EEPROM存储技术的能效和耐用性与闪存的存储容量和读写速度，为面临极端尺寸和功率限制的应用场景提供了一个 ...

2024年10月14-16日，慕尼黑华南电子展(electronica South China)在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办。