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eeworld.com.cn
29 天
stm32之TFT触摸屏(ILI9320)(2):由触摸屏写入EEPROM
这个EEPROM就可以存储这个基准值。 ADS7846的操作是通过SPI进行的,之前讲SPI移植的时候实际讲的比较透彻了,操作也比较简单,看下程序就能懂了。AT24CXX则是通过IIC进行的,所以讲下。 SPI和IIC有什么不同呢,我的感觉主要是三点:1.二者的协议方式不同 ...
EDN电子技术设计
29 天
意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器,提升智能边缘设备的性能和能效
2024 年 10 月 15 日,中国—— 意法半导体的 Page EEPROM兼备EEPROM存储技术的能效和耐用性与闪存的存储容量和读写速度,为面临极端尺寸和功率限制的应用场景提供了一个混合存储器。Kc6ednc 意法半导体拥有5万名半导体技术的创造者和创新者,掌握半导体供应链和 ...
21ic
29 天
意法半导体推出Page EEPROM二合一存储器 提升智能边缘设备的性能和能效
[导读]新存储器兼备串行闪存的读取速度与EEPROM的字节级写操作灵活性,实现真正的两全其美 2024 年 10 月 15 日,中国—— 意法半导体的 Page EEPROM兼备EEPROM存储技术的能效和耐用性与闪存的存储容量和读写速度,为面临极端尺寸和功率限制的应用场景提供了一个 ...
腾讯网
10 天
RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求
在人工智能大型模型和边缘智能领域的算力需求激增的推动下,市场对于高性能存储解决方案的需求也在不断增加。据此预测,2024年全球存储器市场的销售额有望增长61.3%,达到1500亿美元。为了降低云和边缘的功耗,兼具高性能和非易失性的新型存储器正迎来市场 ...
Analog
10 天
查看数据手册 (Rev.2)
非易失存储器存储滑动端位置,上电时重新装入 16引脚,5mm x 5mm x 0.8mm TQFN封装 35ppm/°C端到端电阻温度系数 5ppm/°C比例温度系数 10kΩ和50kΩ端到端电阻 3线SPI兼容串行接口 高可靠性(T A = +85°C) 50,000次滑动端位置存储 MAX5494–MAX5499为10位(1024抽头)、双路、非易失 ...
10 天
从富士通到RAMXEED,以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据 ...
FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级,这远超过NOR flash、EEPROM;读写次数达到1014、1013之多,在某种意义上相当于无限次 ...
3 天
芯片封测巨头:卖掉中国工厂!
半导体封测厂力成11月8日召开董事会,决议终止海外存托凭证上市(GDRs),规划将从卢森堡交易所下市。而早在6月底,力成更一口气处分西安厂、苏州厂等2座生产基地。 力成近日发布重大信息指出,2006年1月23日初次发行海外存托凭证,并在卢森堡交易所挂牌发行,截至今年10月15日止,流通在外单位数为22单位(表彰普通股为44股)。 基于成本及简化作业考虑,力成表示,今天董事会决议,拟终止海外存托凭证 ...
6 天
又一地库车辆自燃起火!
电动知家消息,11月5日晚上9时左右,位于胶州市某项目地下车库突发火情,胶州市消防救援大队与公安部门迅速反应,第一时间赶到现场,经过紧张有序的救援工作,消防人员将明火扑灭,火情得到控制。现场有电动汽车和油车受损,具体起火原因还要等待消防部门认定,但初 ...
新浪网
10 天
RAMXEED以全新一代FeRAM迎接边缘智能高可靠性无延迟数据存储需求
其次,对于SRAM+EEPROM(或NVSRAM ... 同时,还将推进Quad(四线)SPI产品的研发,以满足如游戏机和高端工厂自动化等对数据传输速率有着更高要求 ...
腾讯网
14 天
洞见“硬科技”发展新趋势 E维智库第12届峰会成功举办
在高质量发展、双碳目标等国家战略目标的推动下,硬科技正成为推动产业变革和经济增长的强劲动力。它不仅是新质生产力的稳固基石,也有望引领和支撑起更多的生产力高峰,为国家的持续繁荣与发展注入源源不断的动力。不过,在以AI、智能驾驶等技术催生市场新机遇的同时 ...
腾讯网
9 天
自带主动散热风扇,优创亿9合1掌机扩展坞拆解
前言充电头网拿到了优创亿推出的一款9合1掌机扩展坞,这款扩展坞可以开启掌机的底座模式,并具备PD快充、HDMI视频输出、TF/SD读卡器、USB3.0接口扩展,USB2.0接口扩展和千兆有线网络接口。扩展坞机身还设有卡扣固定的风扇模块,通过触点连接, ...
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